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Sonderforschungsbereich 595

Bereich C – Modellierung

C1 Quantenmechanische Computersimulationen zur Elektronen- und Defektstruktur oxidischer Materialien
C2 Atomistische Computersimulationen von Defekten und deren Bewegung in Metalloxiden
C3 Mikroskopische Untersuchungen zur Defektagglomeration und deren Auswirkung auf die Beweglichkeit von Domänenwänden
C5 Phänomenologische Modellierung von bipolarem Ladungsträgertransport in organischen Halbleiterbauelementen unter Berücksichtigung von Injektions-, Transport- und Rekombinationsphänomenen
C6 Mikromechanische Simulationen von Interaktion der Punktdefekte mit Domänenstruktur in Ferroelektrika